成果名称：	高性能650V增强型氮化镓功率器件
登记日期：	2022-07-07
完成单位：	英诺赛科（珠海）科技有限公司
完成人员：	黄敬源,郝荣晖,陈扶,林盛杰,胡凯,张晓燕,何清源,陈阳,程然,李兴俊,叶朝栋
研究起止日期：	2019-01-01至2021-12-31
主要应用行业：	信息传输、软件和信息技术服务业
高新技术领域：	电子信息
评价单位：	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
评价日期：	2022-03-31
成果简介：	1.课题来源与背景：本成果基于团队过往从业经历及行业经验，结合国内外硅基氮化镓相关技术及市场资料，进行对比分析，总结相关技术特点，全面了解掌握硅基氮化镓技术的动态发展趋势和方向，寻求技术与市场的关键结合点，开发出符合市场需求的产品，提升产业化效率。 2.技术原理及性能指标： （1）高均匀性、低翘曲度、低漏电8英寸硅基氮化镓MOCVD外延生长技术； （2）增强型8英寸硅基氮化镓芯片制造技术：开发无金CMOS兼容全流程制造工艺，包括低损伤氮化镓刻蚀技术、低欧姆接触技术、氮化镓表面钝化技术、芯片平坦化技术； （3）研究氮化镓器件的失效机理与可靠性提升技术，特别是与 JEDEC 与 AEC 等国际质量标准体系对接,打破硅基氮化镓产品在国内通过JEDEC可靠性的空白。 （4）性能指标： 1）低Ron（165mΩ）：低导通损耗，器件温升低； 2）寄生电容小：开关速度快、开关损耗小，可工作更高频，提高电源功率密度； 4）5x6封装：占板面积小，易布局； 3.技术的创造性与先进性：650V硅基氮化镓增强型高迁移率功率晶体管，采用双扁平无引脚封装(DFN)，尺寸为5mm × 6mm. （1）增强型晶体管-常关型电源开关 （2）超高开关频率 （3）无反向恢复电荷 （4）更低栅极电容，更低输出电容 （5）符合JEDEC标准的工业应用 （6）更高的ESD防护能力 （7）符合RoHS, Pb-free, REACH标准 4.技术的成熟程度，适用范围和安全性：产品已实现量产出货。 5.应用情况及存在的问题：该产品凭借其低损耗、高速的性能优势，可应用于消费类电源、服务器电源、数据中心、LED电源、电动汽车等领域具有广阔的应用前景，在数据中心服务器电源、5G基站电源、电动汽车等领域。尤其在数据中心服务器电源领域，GaN基功率电子器件能够带来更高的效率和功率密度。目前数据中心耗电量约占全球总用电量的2%，提升服务器电源效率迫在眉睫。开发面向数据中心应用的高效、高可靠的GaN基功率电子器件既是GaN功率半导体从消费类电子迈向工业级高端应用的突破口，也是我国集成电路发展另辟蹊径、突出特色，解决“卡脖子”的关键。 6.历年获奖情况： （1）获得广东省高新技术产品认证 （2）2021第十六届“中国芯”优秀技术创新产品